Name: S2M0080120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: S2M0080120K
Availability: InStock
Rating: 5 (106 reviews)

S2M0080120K

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	S2M0080120K
Produttore	SMC Diode Solutions
Descrizione	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	780 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	lug 10 - lug 15 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche S2M0080120K

Produttore	SMC Diode Solutions
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	41A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1324 pF @ 1000 V
Vgs (massimo)	+25V, -10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-4
Pacchetto / caso	TO-247-4

S2M0080120K Packaging

S2M0080120K FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the S2M0080120K we delivered, we will accept the replacement or return of the S2M0080120K only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of S2M0080120K.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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