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RS1E320GNTB

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Numero di parte RS1E320GNTB
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
Scheda dati
pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche RS1E320GNTB

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2850pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 34.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9 mOhm @ 32A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSOP
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

RS1E320GNTB Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RS1E320GNTB FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that RS1E320GNTB is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RS1E320GNTB. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RS1E320GNTB on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RS1E320GNTB products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RS1E320GNTB price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RS1E320GNTB?
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