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RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte RQ3E150MNTB1
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche RQ3E150MNTB1

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

RQ3E150MNTB1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RQ3E150MNTB1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RQ3E150MNTB1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RQ3E150MNTB1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RQ3E150MNTB1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RQ3E150MNTB1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RQ3E150MNTB1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RQ3E150MNTB1?
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