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RP1E125XNTR

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Numero di parte RP1E125XNTR
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
Scheda dati

RP1E125XNTR Scheda dati

pacchetto 6-SMD, Flat Leads
ECAD
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Specifiche RP1E125XNTR

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-SMD, Flat Leads
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreMPT6
Pacchetto / caso6-SMD, Flat Leads

Scheda tecnica RP1E125XNTR

RP1E125XNTR Packaging

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Packing
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RP1E125XNTR FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RP1E125XNTR is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RP1E125XNTR. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RP1E125XNTR on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RP1E125XNTR products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RP1E125XNTR price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RP1E125XNTR?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the RP1E125XNTR we delivered, we will accept the replacement or return of the RP1E125XNTR only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
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