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RN1964TE85LF

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Numero di parte RN1964TE85LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Scheda dati
pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche RN1964TE85LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie-
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

RN1964TE85LF Packaging

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Packing
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RN1964TE85LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1964TE85LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN1964TE85LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN1964TE85LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN1964TE85LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RN1964TE85LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN1964TE85LF?
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Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V

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