Numero di parte | RN1902FE,LF(CT |
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Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Scheda dati | |
pacchetto | SOT-563, SOT-666 |
ECAD | |
A magazzino | 35.862 piece(s) |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
RN1902FE,LF(CT D# V36:1790_23755323 |
Toshiba America Electronic Components |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
RN1902FE,LF(CT D# RN1902FE,LF(CT |
Toshiba America Electronic Components |
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin ES6 - Tape and Reel (Alt: RN1902FE,LF(CT) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
RN1902FE,LF(CT D# RN1902FELF(CTCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
952 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
RN1902FE,LF(CT D# 757-RN1902FELFCT |
Toshiba America Electronic Components |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A RoHS: Compliant
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9590 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
RN1902FE.LFCT |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
8011 |
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86-755-83210559-841
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