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RN1901FETE85LF

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Numero di parte RN1901FETE85LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Scheda dati

RN1901FETE85LF Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche RN1901FETE85LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
Serie-
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max100mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreES6

Scheda tecnica RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF Packaging

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Packing
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RN1901FETE85LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1901FETE85LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN1901FETE85LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN1901FETE85LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN1901FETE85LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RN1901FETE85LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN1901FETE85LF?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

4000
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D# RN1901FETE85LFCT-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

3780
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D# 757-RN1901FETE85LF

Toshiba America Electronic Components

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V

RoHS: Compliant
415
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba Semiconductor and Storage

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