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RN1703JE(TE85L,F)

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Numero di parte RN1703JE(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Scheda dati
pacchetto SOT-553
ECAD
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Specifiche RN1703JE(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
pacchettoSOT-553
ECAD
Serie-
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max100mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-553
Pacchetto dispositivo fornitoreESV

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Sealing
Packing
Insepction

RN1703JE(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1703JE(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN1703JE(TE85L,F). All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN1703JE(TE85L,F) on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN1703JE(TE85L,F) products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

RN1703JE(TE85L,F)

D# RN1703JE(TE85LF)CT-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

4010
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

RN1703JETE85L.F

TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE

OEM/CM ONLY

8011

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