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RN1444ATE85LF

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Numero di parte RN1444ATE85LF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche RN1444ATE85LF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)20V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 4mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 3mA, 30mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione30MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreS-Mini

RN1444ATE85LF Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RN1444ATE85LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1444ATE85LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN1444ATE85LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN1444ATE85LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN1444ATE85LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RN1444ATE85LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN1444ATE85LF?
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