Name: RN1412TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1412TE85LF
Availability: InStock
Rating: 5 (123 reviews)

RN1412TE85LF

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Numero di parte	RN1412TE85LF
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino	5.136 piece(s)
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Specifiche RN1412TE85LF

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	-
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	200mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	S-Mini

RN1412TE85LF Packaging

RN1412TE85LF FAQ

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Numero di parte

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RN1412TE85LF

Toshiba America Electronic Components

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

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RN1412(TE85L,F)

Toshiba America Electronic Components

RoHS (ship within 1day) - D/C 2012

3000

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RN1412TE85LF

D# RN1412TE85LFCT-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

1950

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RN1412TE85LF

Toshiba America Electronic Components

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RN1412TE85LF

D# 757-RN1412TE85LF

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Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO

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3000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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RN1412TE85LF

D# NS-RN1412TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

OEM/CM ONLY

3046

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

RN1412(TE85L,F)

Toshiba America Electronic Components

2400

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Descrizione

Azione

RN1412TE85LF

Toshiba America Electronic Components

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