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RN1310(TE85L,F)

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RN1310(TE85L,F)

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Numero di parte RN1310(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Scheda dati
pacchetto SC-70, SOT-323
ECAD
A magazzino 36.000 piece(s)
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Specifiche RN1310(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoSC-70, SOT-323
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max100mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreUSM

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