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RN1117-TE85L-F

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Numero di parte RN1117-TE85L-F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche RN1117-TE85L-F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchetto-
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione250 MHz
Potenza - Max100 mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitoreSSM

RN1117-TE85L-F Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RN1117-TE85L-F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1117-TE85L-F is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN1117-TE85L-F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN1117-TE85L-F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN1117-TE85L-F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RN1117-TE85L-F price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN1117-TE85L-F?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of RN1117-TE85L-F.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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