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RJK6018DPK-00#T0

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Numero di parte RJK6018DPK-00#T0
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Scheda dati

RJK6018DPK-00#T0 Scheda dati

pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche RJK6018DPK-00#T0

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4100pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs235 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica RJK6018DPK-00#T0

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  • 2. How does Heisener guarantee that RJK6018DPK-00#T0 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the RJK6018DPK-00#T0 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin TO-3P Tube (Alt: RJK6018DPK-00#T0)

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Renesas Electronics Corporation

PWR MOS TRS TO3P - Rail/Tube

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D# C1S620200370813

Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
10
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D# RJK6018DPK-00#T0-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

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D# NS-RJK6018DPK-00#T0

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D# 30594363

Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

RoHS: Compliant
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