Name: RJK1002DPN-E0#T2
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK1002DPN-E0-T2
Availability: InStock
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RJK1002DPN-E0#T2

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Numero di parte	RJK1002DPN-E0#T2
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 70A TO220
Scheda dati	RJK1002DPN-E0#T2 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche RJK1002DPN-E0#T2

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6450pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica RJK1002DPN-E0#T2

RJK1002DPN-E0#T2 Packaging

RJK1002DPN-E0#T2 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of RJK1002DPN-E0#T2.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as RJK1002DPN-E0#T2 pin diagram, RJK1002DPN-E0#T2 datasheet?

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RJK1002DPN-E0#T2

Renesas Electronics Corporation

POWER MOSFET - Rail/Tube

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MOSFET N-CH 100V 70A TO220AB

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