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RJK0855DPB-00#J5

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Numero di parte RJK0855DPB-00#J5
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Scheda dati

RJK0855DPB-00#J5 Scheda dati

pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche RJK0855DPB-00#J5

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2550pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

Scheda tecnica RJK0855DPB-00#J5

RJK0855DPB-00#J5 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that RJK0855DPB-00#J5 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RJK0855DPB-00#J5. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RJK0855DPB-00#J5 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RJK0855DPB-00#J5 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RJK0855DPB-00#J5 price and inventory displayed accurate?
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N/P-CH 80V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK - Tape and Reel (Alt: RJK0855DPB-00#J5)

0
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Renesas Electronics Corporation

POWER MOSFET - Tape and Reel

0
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

1252
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"RENESAS"

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET Power MOSFET

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1423
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Renesas Electronics Corporation

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