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RFP30N06LE

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Numero di parte RFP30N06LE
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
Scheda dati

RFP30N06LE Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche RFP30N06LE

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
Vgs (massimo)+10V, -8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs47 mOhm @ 30A, 5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica RFP30N06LE

RFP30N06LE Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RFP30N06LE FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RFP30N06LE is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RFP30N06LE. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RFP30N06LE on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RFP30N06LE products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RFP30N06LE price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RFP30N06LE?
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

RoHS: Not Compliant
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