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RF1005TF6SFHC9

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Numero di parte RF1005TF6SFHC9
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche RF1005TF6SFHC9

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Corrente - Rettificato medio (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)40 ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10 µA @ 600 V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220NFM
Temperatura operativa - Giunzione150°C (Max)

RF1005TF6SFHC9 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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RF1005TF6SFHC9 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RF1005TF6SFHC9 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RF1005TF6SFHC9. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RF1005TF6SFHC9 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RF1005TF6SFHC9 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RF1005TF6SFHC9 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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