Name: R6046FNZ1C9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6046FNZ1C9
Availability: InStock
Rating: 5 (193 reviews)

R6046FNZ1C9

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Numero di parte	R6046FNZ1C9
Produttore	Rohm Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Scheda dati	R6046FNZ1C9 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	6.144 piece(s)
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Specifiche R6046FNZ1C9

Produttore	Rohm Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	46A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6230pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 23A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9 Packaging

R6046FNZ1C9 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that R6046FNZ1C9 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the R6046FNZ1C9 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of R6046FNZ1C9.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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RoHS (ship within 1day) - D/C 2014

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D# R6046FNZ1C9-ND

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Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk

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