Name: R6025FNZ1C9
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6025FNZ1C9
Availability: InStock
Rating: 5 (147 reviews)

R6025FNZ1C9

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Numero di parte	R6025FNZ1C9
Produttore	Rohm Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Scheda dati	R6025FNZ1C9 Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	9.756 piece(s)
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Specifiche R6025FNZ1C9

Produttore	Rohm Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9 Packaging

R6025FNZ1C9 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that R6025FNZ1C9 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the R6025FNZ1C9 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the R6025FNZ1C9 we delivered, we will accept the replacement or return of the R6025FNZ1C9 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# R6025FNZ1C9

ROHM Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V ±25A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: R6025FNZ1C9)

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180

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D# R6025FNZ1C9-ND

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MOSFET N-CH 600V 25A TO247

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