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PSMN5R9-30YL,115

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PSMN5R9-30YL,115
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
Scheda dati
pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
A magazzino 4.224 piece(s)
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Specifiche PSMN5R9-30YL,115

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C78A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1226pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

PSMN5R9-30YL,115 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PSMN5R9-30YL,115 FAQ

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