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PSMN4R3-100ES,127

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PSMN4R3-100ES,127

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Numero di parte PSMN4R3-100ES,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Scheda dati

PSMN4R3-100ES,127 Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche PSMN4R3-100ES,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9900pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica PSMN4R3-100ES,127

PSMN4R3-100ES,127 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN4R3-100ES,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V36:1790_06540931

 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail

 0
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail - Rail/Tube (Alt: PSMN4R3-100ES,127)

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 0
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 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail (Alt: PSMN4R3-100ES,127)

RoHS: Compliant
 0
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D# 2156-PSMN4R3-100ES127-ND

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 Rochester Electronics LLC

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 3240
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