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PSMN2R9-30MLC,115

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PSMN2R9-30MLC,115

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Numero di parte PSMN2R9-30MLC,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Scheda dati

PSMN2R9-30MLC,115 Scheda dati

pacchetto SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
ECAD
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Specifiche PSMN2R9-30MLC,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2419pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK33
Pacchetto / casoSOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

Scheda tecnica PSMN2R9-30MLC,115

PSMN2R9-30MLC,115 Packaging

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Packing
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PSMN2R9-30MLC,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN2R9-30MLC,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Nexperia

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

446

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Rochester Electronics LLC

NOW NEXPERIA PSMN2R9-30MLC 70A,

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D# 2115262

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1732
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MOSFET N-Chan 25V 3.15mOhm

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148
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30 V, 2.95 Milli Ohm Logic Level N-Channel MOSFET In Lfpak33 Using Nextpower Technology

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227600
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