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PSMN2R8-40BS,118

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Numero di parte PSMN2R8-40BS,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Scheda dati

PSMN2R8-40BS,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PSMN2R8-40BS,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4491pF @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PSMN2R8-40BS,118

PSMN2R8-40BS,118 Packaging

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NXP Semiconductors

Transistor MOSFET N-Channel 40V 100A 3-Pin D2PAK - Bulk (Alt: PSMN2R8-40BS,118)

0
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D# PSMN2R8-40BS,118

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN2R8-40BS,118)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

11667
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NXP Semiconductors

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167
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D# 771-PSMN2R8-40BS,118

Nexperia

MOSFET Std N-chanMOSFET

RoHS: Compliant
4782
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NXP Semiconductors

Now Nexperia PSMN2R8-40BS - 100A, 40V, 0.0029ohm, N-Channel Power MOSFET, D2PAK

RoHS: Compliant
11667
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40V N-CHANNEL STD LEVEL

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0

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