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PSMN2R0-30YL,115

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Numero di parte PSMN2R0-30YL,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Scheda dati

PSMN2R0-30YL,115 Scheda dati

pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche PSMN2R0-30YL,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3980pF @ 12V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)97W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

Scheda tecnica PSMN2R0-30YL,115

PSMN2R0-30YL,115 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN2R0-30YL,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN2R0-30YL,115)

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R (Alt: PSMN2R0-30YL,115)

RoHS: Compliant
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D# C1S548200096291

Nexperia

PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK

Min Qty: 1
Container: Cut Tape
5950
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Nexperia

N-Channel 30V 100A(Tc) 2.15V @ 1mA 2mohms @ 15A,10V 97W(Tc) SOT669 MOSFET RoHS

26
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D# 1727-4163-1-ND

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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

13213
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Nexperia

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17464
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D# C456160

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26
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D# 771-PSMN2R0-30YL-T/R

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MOSFET <=30V N CH TRENCHFET

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D# XSFT00000016901

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N-Channel 30 V 2 mOhm 97 W SMT Logic Level Mosfet - SOT-669

7500
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D# NS-PSMN2R0-30YL-115

NXP Semiconductors

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8292
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OEM/CM ONLY

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