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PSMN1R6-40YLC:115

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Numero di parte PSMN1R6-40YLC:115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4
Scheda dati

PSMN1R6-40YLC:115 Scheda dati

pacchetto SOT-1023, 4-LFPAK
ECAD
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Specifiche PSMN1R6-40YLC:115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-1023, 4-LFPAK
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs126nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7790pF @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)288W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / casoSOT-1023, 4-LFPAK

Scheda tecnica PSMN1R6-40YLC:115

PSMN1R6-40YLC:115 Packaging

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Packing
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PSMN1R6-40YLC:115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN1R6-40YLC:115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PSMN1R6-40YLC:115 price and inventory displayed accurate?
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MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

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MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

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