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PSMN1R6-30PL,127

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Numero di parte PSMN1R6-30PL,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Scheda dati

PSMN1R6-30PL,127 Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche PSMN1R6-30PL,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs212nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12493pF @ 12V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica PSMN1R6-30PL,127

PSMN1R6-30PL,127 Packaging

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Packing
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D# PSMN1R6-30PL,127

 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Rail/Tube (Alt: PSMN1R6-30PL,127)

RoHS: Compliant
 0
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 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube (Alt: PSMN1R6-30PL,127)

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 0
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 1172

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 NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

 2000
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D# NS-PSMN1R6-30PL-127

 NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

 1328
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 NXP Semiconductors

Now Nexperia PSMN1R6-30PL - 100A, 30V, 0.0021ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

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