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PSMN1R6-30BL,118

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Numero di parte PSMN1R6-30BL,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Scheda dati

PSMN1R6-30BL,118 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche PSMN1R6-30BL,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs212nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12493pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica PSMN1R6-30BL,118

PSMN1R6-30BL,118 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN1R6-30BL,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN1R6-30BL,118)

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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN1R6-30BL,118)

RoHS: Compliant
 0
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 Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: PSMN1R6-30BL,118)

RoHS: Compliant
 0
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D# 1727-7111-1-ND

 Nexperia

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

 3579
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 Nexperia

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 3840
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 NXP Semiconductors

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 959
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MOSFET Std N-chanMOSFET

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 3316
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 Nexperia

4000
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 NXP Semiconductors

Now Nexperia PSMN1R6-30BL - 100A, 30V, 0.0022ohm, N-Channel Power MOSFET, D2PAK

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 769
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 NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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