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PSMN165-200K,518

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Numero di parte PSMN165-200K,518
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Scheda dati

PSMN165-200K,518 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche PSMN165-200K,518

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1330pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs165 mOhm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica PSMN165-200K,518

PSMN165-200K,518 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN165-200K,518 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V79:2366_19866493

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.9A 8-Pin SO T/R

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D# 2156-PSMN165-200K518-ND

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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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48
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OEM/CM ONLY

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D# 26760307

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.9A 8-Pin SO T/R

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