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PSMN102-200Y,115

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Numero di parte PSMN102-200Y,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Scheda dati

PSMN102-200Y,115 Scheda dati
pacchetto SC-100, SOT-669
ECAD
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Specifiche PSMN102-200Y,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-100, SOT-669
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1568pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs102 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / casoSC-100, SOT-669

Scheda tecnica PSMN102-200Y,115

PSMN102-200Y,115 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN102-200Y,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PSMN102-200Y,115. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PSMN102-200Y,115 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PSMN102-200Y,115 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the PSMN102-200Y,115 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: PSMN102-200Y,115)

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MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56

 1180
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MOSFET, N-CH, 200V, 21.5A, LFPAK56

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 1403
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 144000
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 2422
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MOSFET Trans MOSFET N-CH 200V 21.5A 5-Pin

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MOSFET, N-CH, 200V, 21.5A, LFPAK56 ROHS COMPLIANT: YES

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