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PSMN070-200P,127

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Numero di parte PSMN070-200P,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
Scheda dati

PSMN070-200P,127 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche PSMN070-200P,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs77nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4570pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica PSMN070-200P,127

PSMN070-200P,127 Packaging

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Packing
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PSMN070-200P,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN070-200P,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PSMN070-200P,127. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PSMN070-200P,127 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PSMN070-200P,127 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the PSMN070-200P,127 price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# P40:2555_13904405

Nexperia

Trans MOSFET N-CH Si 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

0
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D# PSMN070-200P,127

NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 200V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Bulk (Alt: PSMN070-200P,127)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN070-200P,127-NXP

D# 2156-PSMN070-200P127-NXP-ND

Rochester Electronics LLC

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

0

PSMN070-200P,127

D# 2156-PSMN070-200P127-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN070200P127NXP

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

12974

PSMN070200P127

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

240
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

PSMN070200P127

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

3410
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PSMN070-200P-127

D# NS-PSMN070-200P-127

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OEM/CM ONLY

1125
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Now Nexperia PSMN070-200P - 35A, 200V, 0.07ohm, N-Channel Power MOSFET, SIL3P

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