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PSMN020-150W,127

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Numero di parte PSMN020-150W,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 150V 73A SOT429
Scheda dati

PSMN020-150W,127 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche PSMN020-150W,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C73A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs227nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9537pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica PSMN020-150W,127

PSMN020-150W,127 Packaging

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Packing
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