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PSMN018-100ESFQ

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Numero di parte PSMN018-100ESFQ
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 100V 53A I2PAK
Scheda dati

PSMN018-100ESFQ Scheda dati

pacchetto TO-220-3, Short Tab
ECAD
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Specifiche PSMN018-100ESFQ

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3, Short Tab
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C53A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1482pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)111W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-220-3, Short Tab

Scheda tecnica PSMN018-100ESFQ

PSMN018-100ESFQ Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN018-100ESFQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PSMN018-100ESFQ price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PSMN018-100ESFQ?
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Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail

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Nexperia

MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK

0
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D# 2892878

Nexperia

MOSFET, N-CH, 100V, 53A, SOT-226

RoHS: Compliant
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0
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NXP Semiconductors

NextPower 100 V standard level gate drive MOSFET

RoHS: Compliant
4976
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Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail

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