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PSMN015-100P,127

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PSMN015-100P,127

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Numero di parte PSMN015-100P,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Scheda dati

PSMN015-100P,127 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche PSMN015-100P,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4900pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica PSMN015-100P,127

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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MOSFET RAIL PWR-MOS

RoHS: Compliant
4842
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D# XSFP00000089973

Nexperia

PSMN015 Series 100 V 15 mOhm 300 W SMT N-Channel Standard Level MOSFET -TO-220AB

448
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PSMN015-100P/SOT78/SIL3P

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1930
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