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PSMN009-100P,127

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PSMN009-100P,127

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Numero di parte PSMN009-100P,127
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Scheda dati

PSMN009-100P,127 Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche PSMN009-100P,127

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs156nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8250pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica PSMN009-100P,127

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN009-100P,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube (Alt: PSMN009-100P,127)

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MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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SOT78/RAILH/N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR/12NC:9340570

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Now Nexperia PSMN009-100P - 75A, 100V, 0.0088ohm, N-Channel Power MOSFET, SIL3P

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