Name: PMWD19UN,518
Brand: NXP
SKU: PMWD19UN-518
Availability: InStock
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PMWD19UN,518

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Numero di parte	PMWD19UN,518
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Scheda dati	PMWD19UN,518 Scheda dati
pacchetto	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche PMWD19UN,518

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1478pF @ 10V
Potenza - Max	2.3W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP

Scheda tecnica PMWD19UN,518

PMWD19UN,518 Packaging

PMWD19UN,518 FAQ

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PMWD19UN,518

D# 568-2361-2-ND

NXP Semiconductors

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

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PMWD19UN518

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

891

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PMWD19UN-518

D# NS-PMWD19UN-518

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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