| Numero di parte | PMPB20UN,115 |
|---|---|
| Produttore | NXP |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 6-UDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.592 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | NXP |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 6-UDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.6A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
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SIT1602BC-23-33S-33.333330G | SiTime, -20 TO 70C, 3225, 50PPM, 3.3V, 3, -, - | Visualizza |
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SIT1602BC-31-18N-33.330000Y | SiTime, -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 1.8V, 3, -, - | Visualizza |
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M39003/01-8017 | Vishay Sprague, CAP TANT 270UF 10% 6V AXIAL, Axial, - | Visualizza |
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B41580A5330M003 | EPCOS (TDK), CAP ALUM 330000UF 20% 25V SCREW, Radial, Can - Screw Terminals, - | Visualizza |
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APT19M120J | Microsemi Corporation, MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227, SOT-227-4, miniBLOC, - | Visualizza |
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IDT7200L25SO8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC MEM FIFO 256X9 25NS 28-SOIC, 28-SOIC (0.345", 8.77mm Width), - | Visualizza |
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SN75188NSRG4 | Texas Instruments, IC QUAD LINE DRIVER 14SO, 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width), - | Visualizza |
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ES2S41653 | APEM Inc., SWITCH PUSHBUTTON DPST 1A 24V, -, - | Visualizza |
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RR1220P-3920-B-M-T5 | Susumu, RES SMD 392 OHM 0.1% 1/10W 0805, 0805 (2012 Metric), - | Visualizza |
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AA2010FK-079M1L | Yageo, RES SMD 9.1M OHM 1% 3/4W 2010, 2010 (5025 Metric), - | Visualizza |
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89446-130HLF | Amphenol FCI, HEADER BERGSTIK, -, - | Visualizza |
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CA3106F20-27PX | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB20UN115 D# PMPB20UN,115 |
NXP Semiconductors |
- Bulk (Alt: PMPB20UN,115) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB20UN,115 D# 2156-PMPB20UN115-NXTR-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN |
108000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB20UN115 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
129600 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB20UN115 |
NXP Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
381 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
PMPB20UN,115 |
NXP Semiconductors |
Now Nexperia PMPB20UN - Power Field-Effect Transistor, SOT1220 RoHS: Compliant
|
108000 |
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