Name: PML260SN,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PML260SN-118
Availability: InStock
Rating: 5 (187 reviews)

PML260SN,118

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	PML260SN,118
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
Scheda dati	PML260SN,118 Scheda dati
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	15.174 piece(s)
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Specifiche PML260SN,118

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	657pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	294 mOhm @ 2.6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad

Scheda tecnica PML260SN,118

PML260SN,118 Packaging

PML260SN,118 FAQ

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D# PML260SN,118

NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 200V 8.8A 8-Pin QFN EP T/R - Bulk (Alt: PML260SN,118)

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D# C1S537100272579

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 200V 8.8A 8-Pin QFN EP T/R

Min Qty: 5

Container: Cut Tape

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PML260SN,118

D# 2156-PML260SN,118-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8

636

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

1988

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D# NS-PML260SN-118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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NXP Semiconductors

N-channel TrenchMOS standard level FET

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