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PMFPB8040XP,115

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PMFPB8040XP,115

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Numero di parte PMFPB8040XP,115
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Scheda dati

PMFPB8040XP,115 Scheda dati

pacchetto 6-UDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche PMFPB8040XP,115

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN2020-6
Pacchetto / caso6-UDFN Exposed Pad

Scheda tecnica PMFPB8040XP,115

PMFPB8040XP,115 Packaging

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Sealing
Packing
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PMFPB8040XP,115 FAQ

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NXP Semiconductors

Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-Pin DFN EP T/R - Bulk (Alt: PMFPB8040XP,115)

RoHS: Compliant
0
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Rochester Electronics LLC

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

161589
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

193907
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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

114
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NXP Semiconductors

Now Nexperia PMFPB8040XP - Small Signal Field-Effect Transistor, HUSON6

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