Name: PMDPB56XN,115
Brand: NXP
SKU: PMDPB56XN-115
Availability: InStock
Rating: 5 (187 reviews)

PMDPB56XN,115

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Numero di parte	PMDPB56XN,115
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Scheda dati
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	162.000 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche PMDPB56XN,115

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 15V
Potenza - Max	510mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2020-6

PMDPB56XN,115 Packaging

PMDPB56XN,115 FAQ

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NXP Semiconductors

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D# 2156-PMDPB56XN115-ND

Rochester Electronics LLC

NOW NEXPERIA PMDPB56XN - HUSON6

54000

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

64800

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PMDPB56XN115

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

54005

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PMDPB56XN,115

NXP Semiconductors

Now Nexperia PMDPB56XN - Small Signal Field-Effect Transistor, HUSON6

RoHS: Compliant

54000

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