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PMDPB42UN,115

hot PMDPB42UN,115

PMDPB42UN,115

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PMDPB42UN,115
Produttore NXP
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Scheda dati
pacchetto 6-UDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 198.600 piece(s)
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Specifiche PMDPB42UN,115

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-UDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds185pF @ 10V
Potenza - Max510mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN2020-6

PMDPB42UN,115 Packaging

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Packing
Insepction

PMDPB42UN,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PMDPB42UN,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PMDPB42UN,115. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PMDPB42UN,115 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PMDPB42UN,115 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the PMDPB42UN,115 price and inventory displayed accurate?
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NXP Semiconductors

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