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PJQ5458A_R2_00001

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PJQ5458A_R2_00001

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Numero di parte PJQ5458A_R2_00001
Produttore Panjit International Inc.
Descrizione 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche PJQ5458A_R2_00001

ProduttorePanjit International Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A (Ta), 16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds815 pF @ 15 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN5060-8
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

PJQ5458A_R2_00001 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that PJQ5458A_R2_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PJQ5458A_R2_00001 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PJQ5458A_R2_00001?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJQ5458A_R2_00001.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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