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PJD6NA40_L2_00001

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Numero di parte PJD6NA40_L2_00001
Produttore Panjit International Inc.
Descrizione 400V N-CHANNEL MOSFET
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche PJD6NA40_L2_00001

ProduttorePanjit International Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.4 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds553 pF @ 25 V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs950mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252
Pacchetto / casoTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJD6NA40_L2_00001 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PJD6NA40_L2_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PJD6NA40_L2_00001. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PJD6NA40_L2_00001 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PJD6NA40_L2_00001 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJD6NA40_L2_00001.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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