Name: PJD5NA50_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJD5NA50_L2_00001
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

PJD5NA50_L2_00001

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Numero di parte	PJD5NA50_L2_00001
Produttore	Panjit International Inc.
Descrizione	500V N-CHANNEL MOSFET
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
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Specifiche PJD5NA50_L2_00001

Produttore	Panjit International Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	491 pF @ 25 V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.55Ohm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJD5NA50_L2_00001 Packaging

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJD5NA50_L2_00001.

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