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PJD3NA50_L2_00001

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Numero di parte PJD3NA50_L2_00001
Produttore Panjit International Inc.
Descrizione 500V N-CHANNEL MOSFET
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche PJD3NA50_L2_00001

ProduttorePanjit International Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds260 pF @ 25 V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2Ohm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252
Pacchetto / casoTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJD3NA50_L2_00001 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PJD3NA50_L2_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJD3NA50_L2_00001.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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