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PHX18NQ11T,127

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PHX18NQ11T,127

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Numero di parte PHX18NQ11T,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
Scheda dati

PHX18NQ11T,127 Scheda dati

pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
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Specifiche PHX18NQ11T,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)110V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds635pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)31.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Scheda tecnica PHX18NQ11T,127

PHX18NQ11T,127 Packaging

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Packing
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