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PHT2NQ10T,135

PHT2NQ10T,135

PHT2NQ10T,135

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte PHT2NQ10T,135
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Scheda dati

PHT2NQ10T,135 Scheda dati

pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche PHT2NQ10T,135

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs430 mOhm @ 1.75A, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica PHT2NQ10T,135

PHT2NQ10T,135 Packaging

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Packing
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