Name: PHM12NQ20T,518
Brand: NXP
SKU: PHM12NQ20T-518
Availability: InStock
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PHM12NQ20T,518

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Numero di parte	PHM12NQ20T,518
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Scheda dati	PHM12NQ20T,518 Scheda dati
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche PHM12NQ20T,518

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1230pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HVSON (6x5)
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad

Scheda tecnica PHM12NQ20T,518

PHM12NQ20T,518 Packaging

PHM12NQ20T,518 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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PHM12NQ20T,518

D# PHM12NQ20T,518-ND

NXP Semiconductors

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

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PHM12NQ20T518

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OEM/CM ONLY

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D# NS-PHM12NQ20T-518

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