Name: PHD9NQ20T,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PHD9NQ20T-118
Availability: InStock
Rating: 5 (145 reviews)

PHD9NQ20T,118

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Numero di parte	PHD9NQ20T,118
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Scheda dati	PHD9NQ20T,118 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD9NQ20T,118

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	959pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD9NQ20T,118

PHD9NQ20T,118 Packaging

PHD9NQ20T,118 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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PHD9NQ20T,118

D# PHD9NQ20T,118

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 200V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: PHD9NQ20T,118)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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Descrizione

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PHD9NQ20T,118

D# PHD9NQ20T,118-ND

Nexperia

MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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PHD9NQ20T118

NXP Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

547

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Descrizione

Azione

PHD9NQ20T118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

2500

Numero di parte

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Descrizione

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PHD9NQ20T,118

D# 771-PHD9NQ20T118

Nexperia

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RoHS: Compliant

3777

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PHD9NQ20T,118

D# XSKDRABS0015322

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DPAK/ 200V TRENCHFET N CHANNEL/12NC:934055766118

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Nexperia

PHD9NQ20T/SOT428/DPAK

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