Name: PHD3055E,118
Brand: NXP
SKU: PHD3055E-118
Availability: InStock
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PHD3055E,118

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Numero di parte	PHD3055E,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
Scheda dati	PHD3055E,118 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD3055E,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD3055E,118

PHD3055E,118 Packaging

PHD3055E,118 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PHD3055E,118

D# 2156-PHD3055E118-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PHD3055E118

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

198

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PHD3055E118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

259

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

PHD3055E-118

D# NS-PHD3055E-118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

1394

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