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PHD20N06T,118

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PHD20N06T,118

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Numero di parte PHD20N06T,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Scheda dati

PHD20N06T,118 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche PHD20N06T,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds422pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs77 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica PHD20N06T,118

PHD20N06T,118 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PHD20N06T,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Bulk (Alt: PHD20N06T,118)

RoHS: Compliant
0
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D# 2156-PHD20N06T,118-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

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VBsemi Electronics Co Ltd

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2074
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NXP Semiconductors

Now Nexperia PHD20N06T - 18A, 55V, 0.077ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-252

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